среда, 5 мая 2010 г.

Самсунг начал массовое производство памяти на основе эффекта фазовых переходов.

Микросхема памяти

Читать полностью на DailyTechInfo.Org » Самсунг начал массовое производство памяти на основе эффекта фазовых переходов.

На прошедшей неделе представители компании Самсунг объявили о том, что компания начала выпуск постоянной памяти нового типа, основанной на использовании эффекта фазовых переходов, phase-change memory (PCM). Таким образом, от открытия этого эффекта, сделанного в 1960 году, до момента практического воплощения прошло 40 лет времени. Каждая ячека этой памяти представляет собой микроскопический кристалл вещества, который сначала плавится под воздействием электрического тока и, затем, застывает. Магнитные свойства этого застывшего кристалла определяются направлением протекавшего через него электрического тока.

Комментариев нет:

Отправить комментарий