Ученые IBM изготовили миниатюрную электронную схему, используя кремниевые нанопроводники, толщиной 3 нанометра.

Читать полностью на DailyTechInfo.Org » Ученые IBM изготовили миниатюрную электронную схему, используя кремниевые нанопроводники, толщиной 3 нанометра.

Экспериментальная электронная схема, изготовленная с применением кремниевых нанопроводников, толщиной 3 нанометра, может стать первой электронной схемой нового поколения, заявили исследователи компании IBM, разработавшие и изготовившие эту схему. Анонс новой технологии, разработанной учеными из Исследовательского центра IBM Томаса Дж. Уотсона, был сделан на ежегодном симпозиуме по Технологиям VLSI, в Гонолулу. Согласно предоставленной информации, изготовленная электронная схема представляет собой кольцевой тактовый генератор, построенный на базе полевых транзисторов (Field-Effect Transistors, FET), соединенных кремниевыми нанопроводниками толщиной в 3 нанометра. В общей сложности схема состоит из 25 инверторов, составленных из транзисторов, имеющих как прямую, так и обратную проводимость.