Наночастицы могут стать основой для создания флэш-памяти нового типа.

Читать полностью на DailyTechInfo.Org » Наночастицы могут стать основой для создания флэш-памяти нового типа.

Новый вид энергоемких материалов, идеально подходящих для использования в флэш-памяти, был обнаружен исследователями из Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли и Калифорнийского университета в Беркли. Эти материалы могут быть использованы для создания нового типа памяти на основе фазовых переходов с произвольным доступом (phase change random access memory, PCM), и, возможно, для создания новых устройств оптического хранения данных.