Технология RRAM – скорый переворот в области оперативной памяти.

Читать полностью на DailyTechInfo.Org » Технология RRAM – скорый переворот в области оперативной памяти.

Калифорнийское отделение австралийской компании 4D-S Pty. Ltd. В результате длительных исследований вплотную подошла к промышленной реализации технологии RRAM (Resistive Random Access Memory), которая вполне способна совершить переворот на рынке оперативной памяти. Основой работы ячеек памяти RRAM является свойство некоторых материалов изменять электрическое сопротивление под воздействием импульсов электрического тока. Эффект RRAM был впервые открыт еще в 2000 году, с тех пор по этой технологии было проведено множество академических исследований. Множество крупнейших компаний-производителей микросхем памяти, среди которых были такие известные как Sharp, Sony, Samsung, LSI, Panasonic, Winbond, Unity, Hynix, Micron, Elpida и другие, проводили собственные исследования в этой области. По имеющейся информации, только одни японские компании вложили в исследования технологии RRAM сумму более ста миллионов долларов. Но до сих пор не было найдено приемлемого решения в этой инновационной технологии.