понедельник, 31 января 2011 г.

Новый полевой транзистор с плавающим затвором - революция в области компьютерной памяти.

Структура полевого транзистора с плавающим затвором

Читать полностью на DailyTechInfo.Org » Новый полевой транзистор с плавающим затвором - революция в области компьютерной памяти.

Группа исследователей Университета штата Северная Каролина разработала новое устройство хранения данных, компьютерной памяти, которая сочетает в себе преимущества большой скорости доступа динамической памяти DRAM и энергонезависимость хранения данных, подобно Flash-памяти. Разработка новой памяти позволит во существенно снизить потребление электроэнергии , что особенно важно в случае крупных дата-центров, позволяя отключать части системы во время периодов их бездеятельности без страха потери данных.

Комментариев нет:

Отправить комментарий

Постоянные читатели

Архив блога