Скорость работы памяти на фазовых переходах достигла рекордного значения.

Читать полностью на DailyTechInfo.Org - Скорость работы памяти на фазовых переходах достигла рекордного значения.

Энергонезависимая компьютерная память, работающая на основе эффекта фазовых переходов (phase-change memory, PCM или PRAM), разрабатывается уже достаточно давно. К примеру, компания Samsung уже пробовала использовать такой тип памяти в некоторых моделях своих смартфонов, но в любом случае, плотность хранения информации и скорость записи в PCM-память сопоставимы с аналогичными характеристиками Flash-памяти. Группе ученых из Кембриджского университета, применим метод предварительной организации атомов активного вещества PCM-памяти, удалось сократить время записи информации до значения, не превышающего одну наносекунду.