Читать полностью на DailyTechInfo.Org - Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памяти
Компания Renesas Electronics Corporation разработала новую технологию и технологию производства флэш-памяти с двумя управляющими электродами (split gate, SG), предназначенную для использования ее в составе микроконтроллеров повышенной надежности, военного и автомобильного применения. Эта флэш-память производится по 40-нм технологическому процессу, самому распространенному и отработанному процессу, используемому в производстве большинства современных микроконтроллеров. А отличительными особенностями новой флэш-памяти являются высокая надежность, низкий расход энергии и более быстрые скорости работы в режиме произвольного доступа.
Комментариев нет:
Отправить комментарий