Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти

Читать полностью на DailyTechInfo.Org - Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти

Относительно молодая компания Crossbar, располагающаяся в Санта-Кларе, Калифорния, объявила о создании работоспособных образцов чипов энергонезависимой резистивной памяти (Resistive RAM, RRAM), имеющих уникальную запатентованную структуру. Но самым примечательным является не сам факт создания чипов этого достаточно нового типа памяти, а характеристики и скоростные показатели изготовленных чипов. Согласно информации от компании Crossbar, однокристальная схема, размером с почтовую марку, может сохранить терабайт данных и обеспечить доступ к этим данным в 20 раз быстрее, чем это могут обеспечить самые лучшие образцы современной NAND Flash-памяти.