пятница, 16 января 2015 г.

Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура


Структура FeFET транзистора

Читать полностью на DailyTechInfo.Org - Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

В последнее время в новостях, касающихся информационных технологий, все чаще и чаще мелькают сообщения о перспективе замены разных типов памяти современных компьютеров одним типом энергонезависимой и быстродействующей памяти, что позволит получить работающий компьютер с загруженной операционной системой и работающими приложениями сразу же после момента его включения. Некоторые исследователи видят в роли такой универсальной памяти резистивную память ReRAM на мемристорах, а исследователи из Техасского университета в Остине считают самым подходящим кандидатом на эту роль память на основе FeFET-транзисторов, сегнетоэлектрических полевых транзисторов, разработка которых ведется ими в настоящее время. Кроме этого, уже разработанные исследователями элементы FeFET-транзистора указывают на то, что внедрение таких технологий в электронике позволит обеспечить соблюдение закона Гордона Мура еще достаточно долгое время, по крайней мере, до 2028 года включительно.

Комментариев нет:

Отправить комментарий

Постоянные читатели

Архив блога